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2026年安徽大学集成电路学院考研考试科目及内容范围说明（学术学位）
分类：招生公告 来源：安徽大学研究生院 2026-02-13 相关院校：安徽大学
从安徽大学研究生院获悉，安徽大学2026年学术学位硕士研究生招生专业目录已发布，集成电路学院考试科目如下：
培养单位名称：集成电路学院
招生咨询联系人：刘老师 电话：63861024 办公地点：磬苑校区材料科学大楼H座311A
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一级学科
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学科专业、研究方向
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考 试 科 目
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复试科目
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0809
电子科学与技术
暂定招生人数：15
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080903微电子学与固体电子学
01集成电路设计
02嵌入式系统与网络智能系统
03微纳电子器件模拟与建模
04模拟集成电路自动综合的研究
05高压功率器件与电路
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①101思想政治理论
②201英语（一）
③301数学（一）
④843半导体物理
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F52专业基础综合四（集成电路原理、半导体物理与器件）
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1401
集成电路科学与工程
暂定招生人数：30
（含集成电路研究院暂定招生人数6）
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140100集成电路科学与工程
01超大规模集成电路与系统设计
02微纳电子器件与集成
03电子设计自动化(EDA)技术及其应用
04集成电路工艺与制造
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①101思想政治理论
②201英语（一）
③301数学（一）
④842专业综合二（半导体物理 、数字电路与逻辑设计）
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F52专业基础综合四（集成电路原理、半导体物理与器件）
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考试科目内容范围说明：
842专业综合二（半导体物理50分，数字电路与逻辑设计100分）：《半导体物理》：半导体材料的原子结构和能带，半导体中的电子状态；半导体中杂质的分类与杂质能级，缺陷分类和缺陷能级；热平衡状态载流子的统计分布规律，状态密度，费米分布与费米能级，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度；半导体中的载流子漂移运动和迁移率，散射理论，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电导率与杂质浓度和温度的关系，强电场下的效应和热载流子；非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费未能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，爱因斯坦关系式，连续性方程；PN结，异质结，金属与半导体接触的基本理论。《数字电路与逻辑设计》:基本概念；数制与码制；逻辑函数及其化简；组合逻辑电路；集成逻辑门电路；集成触发器；时序逻辑电路；半导体存储器；脉冲波形的产生与整形。
843半导体物理：半导体材料的原子结构和能带，半导体中的电子状态；半导体中杂质的分类与杂质能级，缺陷分类和缺陷能级；热平衡状态载流子的统计分布规律，状态密度，费米分布与费米能级，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度；半导体中的载流子漂移运动和迁移率，散射理论，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电导率与杂质浓度和温度的关系，强电场下的效应和热载流子；非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费未能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，爱因斯坦关系式，连续性方程；PN结，异质结，金属与半导体接触的基本理论。
F52专业基础综合四（集成电路原理、半导体物理与器件）：《集成电路原理》：MOS管基本原理；静态CMOS电路；动态CMOS电路；CMOS时序电路；输入、输出缓冲器和ESD保护电路；MOS存储器的分类和单元结构；集成电路的设计流程；集成电路版图的设计。《半导体物理与器件》：半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、pn结、金属和半导体的接触、半导体表面与MIS结构、半导体异质结及其能带图、双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件。
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